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IS62WV6416ALL-55BLI

64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

DESCRIPTION TheISSIIS62WV6416ALL/IS62WV6416BLLarehigh-speed,1MbitstaticRAMsorganizedas64Kwordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-performanceandlowpo

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS62WV6416ALL-55BLI

Package：48-TFBGA；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48MINIBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV6416ALL-55BLI-TR

Package：48-TFBGA；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48MINIBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV6416ALL-55B

64Kx16LOWVOLTAGE,ULTRALOWPOWERCMOSSTATICRAM

DESCRIPTION TheISSIIS62WV6416ALL/IS62WV6416BLLarehigh-speed,1MbitstaticRAMsorganizedas64Kwordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-performanceandlowpo

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北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS62WV6416ALL-55BI

64Kx16LOWVOLTAGE,ULTRALOWPOWERCMOSSTATICRAM

DESCRIPTION TheISSIIS62WV6416ALL/IS62WV6416BLLarehigh-speed,1MbitstaticRAMsorganizedas64Kwordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-performanceandlowpo

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS62WV6416ALL-55T

64Kx16LOWVOLTAGE,ULTRALOWPOWERCMOSSTATICRAM

DESCRIPTION TheISSIIS62WV6416ALL/IS62WV6416BLLarehigh-speed,1MbitstaticRAMsorganizedas64Kwordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-performanceandlowpo

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS62WV6416ALL-55TI

64Kx16LOWVOLTAGE,ULTRALOWPOWERCMOSSTATICRAM

DESCRIPTION TheISSIIS62WV6416ALL/IS62WV6416BLLarehigh-speed,1MbitstaticRAMsorganizedas64Kwordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-performanceandlowpo

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS62WV6416ALL-55TLI

64Kx16LOWVOLTAGE,ULTRALOWPOWERCMOSSTATICRAM

DESCRIPTION TheISSIIS62WV6416ALL/IS62WV6416BLLarehigh-speed,1MbitstaticRAMsorganizedas64Kwordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-performanceandlowpo

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IS62WV6416ALL-55BLI

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    1Mb（64K x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    55ns

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 2.2V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    48-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    48-TFBGA（6x8）

  • 描述：

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48MINIBGA

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更多IS62WV6416ALL-55BLI供應(yīng)商 更新時間2025-2-28 15:05:00

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