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ISB3033中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

ISB3033
廠商型號(hào)

ISB3033

功能描述

Silicon NPN Power Transistor

文件大小

347.23 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-23 17:30:00

ISB3033規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

· Collector-Emitter Breakdown Voltage

-V(BR)CEO= 60V(Min)

· Collector-Emitter Saturation Voltage

-VCE(sat)= 0.4V(Max) @IC=8A

APPLICATIONS

· Designed for power amplifier,high speed switching and

regulated power supply applications.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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