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ISB3069P

isc Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=-60V(Min) ·HighDCCurrentGain- :hFE=100(Min)@(VCE=-2V,IC=-3A) ·LowSaturationVoltage- :VCE(sat)=-0.3V(Max)@(IC=-8A,IB=-0.4A) ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation A

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

K3069

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features ?Lowon-resistance RDS(on)=6m?typ. ?Lowdrivecurrent ?4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

QPA3069

2.7??3.5GHz100WGaNPowerAmplifier

QORVO

Qorvo, Inc

QPA3069EVB

2.7??3.5GHz100WGaNPowerAmplifier

QORVO

Qorvo, Inc

RN3069

RFAMPLIFIERMODEL

APITECH

API Technologies Corp

TP3069

Enhanced'SerialInterfaceCMOSCODEC/FilterCOMBO

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司

TP3069J

Enhanced'SerialInterfaceCMOSCODEC/FilterCOMBO

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司

TP3069N

Enhanced'SerialInterfaceCMOSCODEC/FilterCOMBO

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TP3069V

Enhanced'SerialInterfaceCMOSCODEC/FilterCOMBO

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司

TP3069WM

Enhanced'SerialInterfaceCMOSCODEC/FilterCOMBO

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司

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更多ISB3069P供應(yīng)商 更新時間2025-3-13 17:19:00