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ISFM1296

SiC N-Channel MOSFET

DESCRIPTION ·DrainCurrent-ID=56A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage -VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=55mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·PVinverter,ConverterandIndustrialMotorDrives ·SmartGridTransmission&Distribution ·PowerSupplyandDistributio

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

KTA1296

EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(POWERAMPLIFIER,POWERSWITCHING)

POWERAMPLIFIERAPPLICATION. POWERSWITCHINGAPPLICATION. FEATURES ?LowSaturationVoltage.:VCE(sat)=-0.5V(Max.)atIC=-2A ?ComplementarytoKTC3266.

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

KTA1296

EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

LM1296

RasterGeometryCorrectionSystemforMulti-FrequencyDisplays

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導體美國國家半導體公司

LM1296N

RasterGeometryCorrectionSystemforMulti-FrequencyDisplays

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導體美國國家半導體公司

LTC1296

SingleChip12-BitDataAcquisitionSystem

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導體

LTC1296

SingleChip12-BitDataAcquisitionSystem

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導體

LTC1296

SingleChip12-BitDataAcquisitionSystem

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導體

LTC1296

SingleChip12-BitDataAcquisitionSystem

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導體

LTC1296BC

SingleChip12-BitDataAcquisitionSystem

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導體

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1923+
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更多ISFM1296供應商 更新時間2025-4-25 11:06:00