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ISL6612ECBZ-T集成電路（IC）的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

ISL6612ECBZ-T
廠商型號(hào)

ISL6612ECBZ-T
參數(shù)屬性

ISL6612ECBZ-T 封裝/外殼為8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸露焊盤(pán)；包裝為管件；類(lèi)別為集成電路（IC）的柵極驅(qū)動(dòng)器；產(chǎn)品描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
功能描述

Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Protection Features
絲印標(biāo)識(shí)

6612ECBZ
封裝外殼

8LdEPSOIC / 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸露焊盤(pán)
文件大小

601.58 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

RENESAS【瑞薩】

中文名稱(chēng)

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-1-8 16:34:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    ISL6612ECBZ-T

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類(lèi)別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝：

    管件

  • 驅(qū)動(dòng)配置：

    半橋

  • 通道類(lèi)型：

    同步

  • 柵極類(lèi)型：

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    10.8V ~ 13.2V

  • 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：

    1.25A，2A

  • 輸入類(lèi)型：

    非反相

  • 上升/下降時(shí)間（典型值）：

    26ns，18ns

  • 工作溫度：

    0°C ~ 125°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸露焊盤(pán)

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-SOIC-EP

  • 描述：

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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