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ISL8206MIRZ-T	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：15-PowerBQFN 模塊類別：電源 - 板安裝直流轉(zhuǎn)換器描述：DC DC CONVERTER 0.6-6V	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
LGB8206ARI	文件：443.73 Kbytes Page：9 Pages	350V,20AN-ChannelIgnitionIGBT Description ThisLogicLevelInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresmonolithiccircuitryintegratingESDinductivecoildriversapplications.PrimaryusesincludeIgnition,DirectFuelInjection,orwhereverhighvoltageandhighcurrentswitchingisrequired. Features ?Integrated	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
LGB8206ATI	文件：443.73 Kbytes Page：9 Pages	350V,20AN-ChannelIgnitionIGBT Description ThisLogicLevelInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresmonolithiccircuitryintegratingESDinductivecoildriversapplications.PrimaryusesincludeIgnition,DirectFuelInjection,orwhereverhighvoltageandhighcurrentswitchingisrequired. Features ?Integrated	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
LV8206T	文件：302.06 Kbytes Page：14 Pages	CDandMDSystemMotorDriver	SANYOSanyo 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社	SANYO
MOC8206	文件：295.71 Kbytes Page：6 Pages	6-PinDIPOptoisolatorsHighVoltageTransistorOutput(400Volts) TheMOC8204,MOC8205andMOC8206devicesconsistofgalliumarsenideinfraredemittingdiodesopticallycoupledtohighvoltage,silicon,phototransistordetectorsinastandard6–pinDIPpackage.Theyaredesignedforhighvoltageapplicationsandareparticularlyusefulincopymachinesandsol	Motorola Motorola, Inc	Motorola
NGB8206AN	文件：257.68 Kbytes Page：8 Pages	Gate??mitterESDProtection Description ThisLogicLevelInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresmonolithiccircuitryintegratingESDandOver?Voltageclampedprotectionforuseininductivecoildriversapplications.PrimaryusesincludeIgnition,DirectFuelInjection,orwhereverhighvoltageandhighcurrents	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
NGB8206AN	文件：130.3 Kbytes Page：8 Pages	IgnitionIGBT20A,350V,N.ChannelD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NGB8206N	文件：118.17 Kbytes Page：7 Pages	IgnitionIGBT20A,350V,N??hannelD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NGB8206NG	文件：129.57 Kbytes Page：9 Pages	IgnitionIGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NGB8206NG	文件：118.17 Kbytes Page：7 Pages	IgnitionIGBT20A,350V,N??hannelD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NGB8206NG	文件：130.3 Kbytes Page：8 Pages	IgnitionIGBT20A,350V,N.ChannelD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
P8206	文件：82.54 Kbytes Page：1 Pages	SMTCURRENTSENSETRANSFORMERS	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse
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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
ISL8206MIRZ-T
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類別：
電源 - 板安裝 > 直流轉(zhuǎn)換器
包裝：
卷帶（TR）
類型：
非隔離 PoL 模塊
電壓 - 輸入（最小值）：
1V
電壓 - 輸入（最大值）：
20V
電壓 - 輸出 1：
0.6 ~ 6V
電流 - 輸出（最大值）：
6A
應(yīng)用：
ITE（商業(yè)）
工作溫度：
-40°C ~ 85°C
效率：
95%
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
15-PowerBQFN 模塊
大小 / 尺寸：
0.59" 長(zhǎng) x 0.59" 寬 x 0.14" 高（15.0mm x 15.0mm x
描述：
DC DC CONVERTER 0.6-6V

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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更多ISL8206MIRZ-T供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-15 11:08:00

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