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NGB8206NG

Ignition IGBT 20 A, 350 V, N??hannel D2PAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGB8206NG

Ignition IGBT 20 A, 350 V, N.Channel D2PAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGB8206NG

Ignition IGBT

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGB8206NG

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 390V 20A 150W D2PAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

P8206

SMTCURRENTSENSETRANSFORMERS

pulse

Pulse A Technitrol Company

P8206NL

SMTCURRENTSENSETRANSFORMERS

pulse

Pulse A Technitrol Company

P8206NL

smtCurrentSenseTransformers

pulse

Pulse A Technitrol Company

P8206NL

SMTCurrentSenseTransformer

pulse

Pulse A Technitrol Company

P8206NL

smtCurrentSenseTransformersP820XSeries

pulse

Pulse A Technitrol Company

P8206NL

smtCurrentSenseTransformers

pulse

Pulse A Technitrol Company

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    NGB8206NG

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.9V @ 4.5V，20A

  • 輸入類型：

    邏輯

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    -/5μs

  • 測試條件：

    300V，9A，1 千歐，5V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    D2PAK

  • 描述：

    IGBT 390V 20A 150W D2PAK

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ON
23+
D2PAK3LEAD
8141
全新原裝
 詢價
ON
24+
TO-263
6800
詢價
ON
2020+
TO-263
5000
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價
ON
23+
TO-263
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價
ONS
23+
NGB8206NG
13528
振宏微原裝正品,假一罰百
 詢價
ON
6000
面議
19
D2PAK3LEAD
 詢價
JINGDAO/晶導(dǎo)微
23+
SMB(DO-214AA)
69820
終端可以免費供樣,支持BOM配單!
 詢價
ON
23+
TO-263
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
ON Semiconductor
22+
D2PAK
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
ON/安森美
23+
D2PAK3LEAD
6000
原裝正品，支持實單
 詢價
更多NGB8206NG供應(yīng)商 更新時間2025-5-7 11:51:00

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