NGB8206NG 分立半導體產品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導體

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廠家型號：
NGB8206NG
產品分類：
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
生產廠商：
ON
庫存數(shù)量：
5000
產品封裝：
TO-263
生產批號：
2020+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2025-1-15 17:27:00

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原廠料號：NGB8206NG品牌：ON

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NGB8206NG是分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ON/onsemi生產封裝TO-263/TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB的NGB8206NG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

芯片型號：
NGB8206NG
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
ONSEMI【安森美半導體】詳情
廠商全稱：
ON Semiconductor
中文名稱：
安森美半導體公司
內容頁數(shù)：
8 頁
文件大?。?/span>
130.3 kb
資料說明：
Ignition IGBT 20 A, 350 V, N.Channel D2PAK

產品屬性

類型
描述
產品編號：
NGB8206NG
制造商：
onsemi
類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
管件
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 4.5V，20A
輸入類型：
邏輯
25°C 時 Td（開/關）值：
-/5μs
測試條件：
300V，9A，1 千歐，5V
工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
供應商器件封裝：
D2PAK
描述：
IGBT 390V 20A 150W D2PAK

供應商

企業(yè)：
深圳市卓越微芯電子有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
李小姐
手機：
13316985496
詢價：
電話：
0755-82343089
傳真：
0755-83956720
地址：
深圳市福田區(qū)華麗大廈2棟一單元415

NGB8206NG 分立半導體產品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導體

NGB8206NG

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