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NGB8206ANT4G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 LITTELFUSE/力特

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  • 廠家型號(hào)：

    NGB8206ANT4G

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    LITTELFUSE/力特

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    10000

  • 產(chǎn)品封裝：

    原裝正品現(xiàn)貨

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-11-16 13:30:00

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原廠料號(hào)：NGB8206ANT4G品牌：LITTELFUSE/力特

TO-263

NGB8206ANT4G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商LITTELFUSE/力特/Littelfuse Inc.生產(chǎn)封裝原裝正品現(xiàn)貨/TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB的NGB8206ANT4G晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    NGB8206ANT4G

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    9 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    129.57 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Ignition IGBT

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NGB8206ANT4G

  • 制造商：

    Littelfuse Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.9V @ 4.5V，20A

  • 輸入類型：

    邏輯

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    -/5μs

  • 測(cè)試條件：

    300V，9A，1 千歐，5V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    D2PAK

  • 描述：

    IGBT 390V 20A 150W D2PAK3

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市宏興瑞科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    朱小姐

  • 手機(jī)：

    18923720076

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-23946805

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)205棟3樓A05

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