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M04N60	文件：259.399 Kbytes Page：2 Pages	NChannelMOSFET NChannelMOSFET ●RobustHighVoltageTermination ●AvalancheEnergySpecified ●Source-to-DrainDiodeRecoveryTimeComparabletoaDiscreteFastRecoveryDiode	STANSON Stanson Technology	STANSON
MCPF04N60	文件：535.83 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
MCU04N60	文件：467.46 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
MHF04N60CT	文件：1.33955 Mbytes Page：10 Pages	SiliconN-ChannelPowerMOSFET	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC
MHU04N60	文件：987.45 Kbytes Page：10 Pages	SiliconN-ChannelPowerMOSFET	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC
NDD04N60Z	文件：156.95 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET1.8,600Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NDD04N60ZG	文件：156.95 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET1.8,600Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NDD04N60ZG	文件：1.0762 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
NDF04N60Z	文件：319.47 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NDF04N60Z	文件：1.03656 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
NDF04N60Z	文件：144.32 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NDF04N60Z	文件：156.95 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET1.8,600Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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NDF04N60ZG	文件：140.17 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelPowerMOSFET600V,2.0Ohm	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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NDF04N60ZH	文件：140.17 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelPowerMOSFET600V,2.0Ohm	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NDP04N60Z	文件：372.85 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NDP04N60Z	文件：156.95 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET1.8,600Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NDP04N60ZG	文件：156.95 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET1.8,600Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

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供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市潤(rùn)聯(lián)芯城科技有限公司	ITU04N60B	IPS	22+	TO251	8990	只做原裝正品	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	ITU04N65R	IPS	23+	TO-251	33500	原廠授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種	詢價(jià)
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	ITU04N65R	IPS	20+	TO-251	808	一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	ITU04N65R	IPS	2218+	TO-251	3509	一級(jí)代理/分銷(xiāo)渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市晨豪科技有限公司	ITU04N65R	IPS	23+	TO-251	89630	當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市宏興瑞科技有限公司	ITU04N65R	IPS	23+	TO-251	10000	原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市瑞新盛科技有限公司	ITU04N65R	IPS	24+	TO-251	30000	原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市順鑫晟科技有限公司	ITU04N65R-G	IPS	2024+	TO-251	188600	全新原廠原裝正品現(xiàn)貨歡迎咨詢	詢價(jià)
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	ITU07N65R		24+	N/A	58000	一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇	詢價(jià)
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更多ITU04N60B供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-5 11:30:00

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