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NDF04N60ZH

N-Channel Power MOSFET 600 V, 2.0 Ohm

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NDF04N60ZH

N-Channel Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NDP04N60Z

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

NDP04N60Z

N-ChannelPowerMOSFET1.8,600Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NDP04N60ZG

N-ChannelPowerMOSFET1.8,600Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

SCT04N60D

Triac

KODENSHIKODENSHI_AUK CORP.

可天士可天士光電子集團

SCT04N60E

Triac

KODENSHIKODENSHI_AUK CORP.

可天士可天士光電子集團

SCT04N60FD

Triac

KODENSHIKODENSHI_AUK CORP.

可天士可天士光電子集團

SCT04N60P

Triac

KODENSHIKODENSHI_AUK CORP.

可天士可天士光電子集團

SDF04N60

SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON)

SamhopSamHop Microelectronics Corp.

三合微科三合微科股份有限公司

SDU04N60

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD

杜因特深圳市杜因特半導體有限公司

SDU04N60

PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

SDUD04N60

SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON).

SamhopSamHop Microelectronics Corp.

三合微科三合微科股份有限公司

SGB04N60

FastIGBTinNPT-technology

FastIGBTinNPT-technology ?75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: -Motorcontrols -Inverter ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGB04N60

FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGD04N60

FastIGBTinNPT-technology

FastIGBTinNPT-technology ?75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: -Motorcontrols -Inverter ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGD04N60

FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGD04N60

PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

SGP04N60

FastIGBTinNPT-technology

FastIGBTinNPT-technology ?75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: -Motorcontrols -Inverter ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGP04N60

FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    NDF04N60ZH

  • 功能描述：

    MOSFET NFET 600V 4A 1.8

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ON/安森美
24+
TO220F
8950
BOM配單專家,發(fā)貨快,價格低
 詢價
ON/安森美
2021+
TO--220
12000
勤思達 只做原裝 現(xiàn)貨庫存
 詢價
ON/安森美
22+
TO--220
9800
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!
 詢價
ON
24+
TO-220
39500
詢價
onsemi(安森美)
23+
TO-220F
7828
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
 詢價
ON/安森美
23+
TO-220
22000
只做進口原裝假一罰百
 詢價
ON/安森美
1302+
TO-220
3000
詢價
ON
2016+
TO-220
3900
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
 詢價
ON
2020+
TO-220F
2600
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價
ON
1708+
TO--220
8500
只做原裝進口,假一罰十
 詢價
更多NDF04N60ZH供應商 更新時間2025-1-10 16:36:00

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