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IXBA14N300HV 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 IXYS

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  • 廠家型號(hào)：

    IXBA14N300HV

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    IXYS/艾賽斯

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    15800

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-263

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    22+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-13 11:30:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：IXBA14N300HV品牌：IXYS/艾賽斯

原裝正品支持實(shí)單

IXBA14N300HV是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS/艾賽斯/IXYS生產(chǎn)封裝TO-263/TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB的IXBA14N300HV晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    IXBA14N300HV

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    IXYS詳情

  • 廠商全稱：

    IXYS Corporation

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    6 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    365.55 kb

  • 資料說(shuō)明：

    High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IXBA14N300HV

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    BIMOSFET?

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，14A

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    40ns/166ns

  • 測(cè)試條件：

    960V，14A，20 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-263

  • 描述：

    REVERSE CONDUCTING IGBT

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市潤(rùn)聯(lián)芯城科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    姚先生

  • 手機(jī)：

    13410022949

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-88356848

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)B座25樓

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