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首頁(yè)>IXBA16N170AHV-TRL>芯片詳情
IXBA16N170AHV-TRL 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 IXYS
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原廠(chǎng)料號(hào):IXBA16N170AHV-TRL品牌:IXYS
獨(dú)立分銷(xiāo)商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
IXBA16N170AHV-TRL是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS生產(chǎn)封裝TO-263-3 D?Pak(2 引線(xiàn) + 接片/TO-263-3,D2Pak(2 引線(xiàn) + 接片),TO-263AB的IXBA16N170AHV-TRL晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類(lèi)型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
IXBA16N170AHV-TRL
- 制造商:
IXYS
- 類(lèi)別:
- 系列:
BIMOSFET?
- 包裝:
卷帶(TR)
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
6V @ 15V,10A
- 開(kāi)關(guān)能量:
1.2mJ(關(guān))
- 輸入類(lèi)型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:
15ns/160ns
- 測(cè)試條件:
1360V,10A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類(lèi)型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-263-3,D2Pak(2 引線(xiàn) + 接片),TO-263AB
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-263HV
- 描述:
DISC IGBT BIMOSFET-HIGH VOLT TO-
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市宏捷佳電子科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
許小姐
- 手機(jī):
13530520535
- 詢(xún)價(jià):
- 電話(huà):
0755-83201583/83214703
- 傳真:
0755-22669259
- 地址:
福田區(qū)華強(qiáng)北路上步工業(yè)區(qū)102棟620室
相近型號(hào)
- IXBD4410PI
- IXB80IF600NA
- IXB809WJQZ
- IXBD4410SI
- IXB732WJ
- IXBD4411
- IXB720WJQZ
- IXB626WJQZQ
- IXBD4411P1
- IXBD4411PC
- IXB626WJQZ
- IXBD4411PC/P1
- IXB625WJQ2
- IXBD4411PI
- IXB611S1T-R
- IXB611S1T/R
- IXBD4411S1
- IXBD4411SI
- IXB611S1
- IXB611P1
- IXBD4412PI
- IXB511WJ
- IXBD4413PI
- IXBD4414PC
- IXB456WJQZ
- IXB427WJ
- IXBD4415PC
- IXBD441OPI
- IXB405WJZZQ
- IXBF10N300C
- IXB382WJZZQ
- IXB338WJQZ
- IXBF12N300
- IXB338WJ
- IXBF14N250
- IXBF15N300C
- IXB326
- IXBF1948
- IXB30PG1200DHGLAIC
- IXB30PG1200DHGLA
- IXBF20N300
- IXB224WJ
- IXBF20N360
- IXB200I600NA
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- IXB144WJZZQ
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