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IXBX55N300分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
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廠商型號(hào) |
IXBX55N300 |
參數(shù)屬性 | IXBX55N300 封裝/外殼為TO-247-3 變式;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 3000V 130A 625W PLUS247 |
功能描述 | High Voltage, High Gain BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor |
封裝外殼 | TO-247-3 變式 |
文件大小 |
221.5 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
6 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | IXYS Corporation |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
IXYS |
中文名稱 | IXYS Corporation官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-3-10 10:10:00 |
人工找貨 | IXBX55N300價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IXBX55N300規(guī)格書詳情
IXBX55N300屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXBX55N300晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
Features
? High Blocking Voltage
? International Standard Packages
? Low Conduction Losses
? High Current Handling Capability
? MOS Gate Turn-On - Drive Simplicity
Advantages
? Easy to Mount
? Space Savings
? High Power Density
Applications
? Uninterruptible Power Supplies (UPS)
? Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies
? Capacitor Discharge Circuits
? Laser Generators
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
IXBX55N300
- 制造商:
IXYS
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列:
BIMOSFET?
- 包裝:
卷帶(TR)
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
3.2V @ 15V,55A
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3 變式
- 供應(yīng)商器件封裝:
PLUS247?-3
- 描述:
IGBT 3000V 130A 625W PLUS247
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
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