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IXDI502SIAT/R集成電路（IC）的柵極驅(qū)動器規(guī)格書PDF中文資料

IXDI502SIAT/R
廠商型號

IXDI502SIAT/R
參數(shù)屬性

IXDI502SIAT/R 封裝/外殼為8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的柵極驅(qū)動器；產(chǎn)品描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
功能描述

2 Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
文件大小

409.66 Kbytes
頁面數(shù)量

12 頁
生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-5 20:00:00

IXDI502SIAT/R規(guī)格書詳情

IXDI502SIAT/R屬于集成電路（IC）的柵極驅(qū)動器。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXDI502SIAT/R柵極驅(qū)動器柵極驅(qū)動器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能，這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備（通常為 FET 或 IGBT）。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同，但與它適合驅(qū)動的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    IXDI502SIAT/R

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 驅(qū)動配置：

    低端

  • 通道類型：

    獨立式

  • 柵極類型：

    IGBT，N 溝道，P 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    4.5V ~ 30V

  • 邏輯電壓?- VIL，VIH：

    0.8V，3V

  • 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：

    2A，2A

  • 輸入類型：

    反相

  • 上升/下降時間（典型值）：

    7.5ns，6.5ns

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-SOIC

  • 描述：

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IXYS/艾賽斯
23+
NA/
3797
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
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IXYS/艾賽斯
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IXYS/艾賽斯
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