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IXDI602SI

2A Peak Source/Sink Drive Current

IXYS

IXYS Corporation

IXDI602SI

2-Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers

Clare

Clare, Inc.

IXDI602SI

包裝：管件 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸露焊盤 類別：集成電路（IC） 柵極驅動器 描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS Integrated Circuits Division

IXDI602SIA

2-Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers

Clare

Clare, Inc.

IXDI602SIA

2A Peak Source/Sink Drive Current

IXYS

IXYS Corporation

IXDI602SIATR

2-Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers

Clare

Clare, Inc.

IXDI602SIATR

2A Peak Source/Sink Drive Current

IXYS

IXYS Corporation

IXDI602SITR

2A Peak Source/Sink Drive Current

IXYS

IXYS Corporation

IXDI602SITR

2-Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers

Clare

Clare, Inc.

IXDI602SIATR

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 類別：集成電路（IC） 柵極驅動器 描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS Integrated Circuits Division

IXDI602SITR

包裝：管件 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸露焊盤 類別：集成電路（IC） 柵極驅動器 描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS Integrated Circuits Division

產品屬性

  • 產品編號：

    IXDI602SI

  • 制造商：

    IXYS Integrated Circuits Division

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅動器

  • 包裝：

    管件

  • 驅動配置：

    低端

  • 通道類型：

    獨立式

  • 柵極類型：

    IGBT，N 溝道，P 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    4.5V ~ 35V

  • 邏輯電壓?- VIL，VIH：

    0.8V，3V

  • 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：

    2A，2A

  • 輸入類型：

    反相

  • 上升/下降時間（典型值）：

    7.5ns，6.5ns

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸露焊盤

  • 供應商器件封裝：

    8-SOIC-EP

  • 描述：

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
2016+
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IXYS
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IXYS/艾賽斯
21+
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更多IXDI602SI供應商 更新時間2025-1-3 10:00:00

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