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IXFH10N80P	文件：372.03 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.1Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFH10N80P	文件：155.12 Kbytes Page：5 Pages	PolarHV HiPerFET Power MOSFET PolarHV?HiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ●InternationalStandardPackages ●AvalancheRated ●LowPackageInductance ●EasytoDriveandtoProtect Advantages ●EasytoMount ●SpaceSavings ●HighPowerDensity Applicati	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH10N80P	文件：353.97 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFP10N80	文件：295.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.1Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFP10N80P	文件：397.35 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.1Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·Switching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFP10N80P	文件：353.97 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFP10N80P	文件：155.12 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET PolarHV?HiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ●InternationalStandardPackages ●AvalancheRated ●LowPackageInductance ●EasytoDriveandtoProtect Advantages ●EasytoMount ●SpaceSavings ●HighPowerDensity Applicati	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFQ10N80	文件：316.72 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.1Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andPFCCircuits..	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFQ10N80P	文件：155.12 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET PolarHV?HiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ●InternationalStandardPackages ●AvalancheRated ●LowPackageInductance ●EasytoDriveandtoProtect Advantages ●EasytoMount ●SpaceSavings ●HighPowerDensity Applicati	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFQ10N80P	文件：353.97 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
JCS10N80C	文件：851.18 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS ?Switchedmodepower suppliesy ?Electronicballast FEATURES ?Lowgatecharge ?LowCrss(typical8.6pF) ?Fastswitching ?100%avalanchetested ?Improveddv/dtcapability ?RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS10N80FC-F-B	文件：851.18 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS ?Switchedmodepower suppliesy ?Electronicballast FEATURES ?Lowgatecharge ?LowCrss(typical8.6pF) ?Fastswitching ?100%avalanchetested ?Improveddv/dtcapability ?RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS10N80FC-F-BR	文件：851.18 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS ?Switchedmodepower suppliesy ?Electronicballast FEATURES ?Lowgatecharge ?LowCrss(typical8.6pF) ?Fastswitching ?100%avalanchetested ?Improveddv/dtcapability ?RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS10N80GDC-GD-B	文件：851.18 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS ?Switchedmodepower suppliesy ?Electronicballast FEATURES ?Lowgatecharge ?LowCrss(typical8.6pF) ?Fastswitching ?100%avalanchetested ?Improveddv/dtcapability ?RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
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JMP10N80A	文件：272.188 Kbytes Page：6 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江蘇捷捷微電子股份有限公司 PDF上傳者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
MS10N80	文件：1.01225 Mbytes Page：6 Pages	800VN-ChannelMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MSF10N80	文件：875.5 Kbytes Page：7 Pages	800VN-ChannelMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MSF10N80A	文件：1.28168 Mbytes Page：8 Pages	800VN-ChannelMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MSW10N80	文件：440.15 Kbytes Page：4 Pages	800VN-ChannelMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IXFH10N80P
功能描述：
MOSFET 10 Amps 800V 1.1 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IXFH10N80P	IXYS	24+	TO-247AD(IXFH)	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價(jià)
深圳和潤(rùn)天下電子科技有限公司	IXFH10N80P	IXYS/艾賽斯	23+	TO-247	59580	原裝正品華強(qiáng)現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市高捷芯城科技有限公司	IXFH10N80P	Littelfuse/IXYS	23+	TO-247	7814	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IXFH10N80P	IXYS	24+	TO-247	8866		詢價(jià)
深圳市艾宇欣科技有限公司	IXFH10N80P	IXYS	1931+	N/A	18	加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗(yàn)一站式購物	詢價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	IXFH10N80P	IXYS	1809+	TO-247	1675	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!	詢價(jià)
深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司	IXFH10N80P	IXYS/艾賽斯	23+	TO-247	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市易訊博科技有限公司	IXFH10N80P	IXYS	22+	NA	18	加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,	詢價(jià)
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	IXFH10N80P	IXYS/艾賽斯	21+	TO-3P	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IXFH10N80P	IXYS	22+	TO2473	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價(jià)

更多IXFH10N80P供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-22 14:13:00

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