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IXDN502PI

2 Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers

IXYS

IXYS Corporation

IXDN502PI

2 Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers

IXYS

IXYS Corporation

IXDN502PI

Package:8-DIP(0.300",7.62mm);包裝:卷帶(TR) 類(lèi)別:集成電路(IC) 柵極驅(qū)動(dòng)器 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP

IXYS

IXYS Corporation

IXDN502SIA

2AmpereDualLow-SideUltrafastMOSFETDrivers

IXYS

IXYS Corporation

IXDN502SIA

2AmpereDualLow-SideUltrafastMOSFETDrivers

IXYS

IXYS Corporation

IXDN502SIAT/R

2AmpereDualLow-SideUltrafastMOSFETDrivers

IXYS

IXYS Corporation

IXDN502SIAT/R

2AmpereDualLow-SideUltrafastMOSFETDrivers

IXYS

IXYS Corporation

IXDN502SIATSLASHR

2AmpereDualLow-SideUltrafastMOSFETDrivers

IXYS

IXYS Corporation

IXDN502SIATSLASHR

2AmpereDualLow-SideUltrafastMOSFETDrivers

IXYS

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IXDR502

2AmpereSingleLow-SideUltrafastMOSFETDrivers

IXYS

IXYS Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IXDN502PI

  • 制造商:

    IXYS

  • 類(lèi)別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 驅(qū)動(dòng)配置:

    低端

  • 通道類(lèi)型:

    獨(dú)立式

  • 柵極類(lèi)型:

    IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 30V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    0.8V,3V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    2A,2A

  • 輸入類(lèi)型:

    非反相

  • 上升/下降時(shí)間(典型值):

    7.5ns,6.5ns

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    8-DIP(0.300",7.62mm)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-DIP

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IXYS
23+
DIP18
6000
15年原裝正品企業(yè)
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IXYS
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IXYS
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絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
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IXYS艾賽斯
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IXYS
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全新原廠原裝,進(jìn)口正品現(xiàn)貨,正規(guī)渠道可含稅?。?/div>
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IXYS
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IXYS
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Ixys
24+
原廠封裝
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原裝現(xiàn)貨
詢價(jià)
更多IXDN502PI供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-13 15:00:00