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IXDN602SITR

2A Peak Source/Sink Drive Current

IXYS

IXYS Corporation

IXDN602SITR

2-Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers

Clare

Clare, Inc.

IXDN602SITR

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)裸露焊盤(pán);包裝:管件 類別:集成電路(IC) 柵極驅(qū)動(dòng)器 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS Integrated Circuits Division

J602

OUTLINE&USAGE

WinchesterWinchester Electronics Corporation

溫徹斯特溫徹斯特電子

J602

OUTLINEUSAGE

WinchesterWinchester Electronics Corporation

溫徹斯特溫徹斯特電子

J602

TerminalBlockAccessories

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

J602P

OUTLINEUSAGE

WinchesterWinchester Electronics Corporation

溫徹斯特溫徹斯特電子

J602S

OUTLINEUSAGE

WinchesterWinchester Electronics Corporation

溫徹斯特溫徹斯特電子

JMF602

SATAIItoFlashController

JMICRONJMicron Technology Corporation

智微科技智微科技股份有限公司

JS602

TerminalBlockAccessories

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IXDN602SITR

  • 制造商:

    IXYS Integrated Circuits Division

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝:

    管件

  • 驅(qū)動(dòng)配置:

    低端

  • 通道類型:

    獨(dú)立式

  • 柵極類型:

    IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 35V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    0.8V,3V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    2A,2A

  • 輸入類型:

    非反相

  • 上升/下降時(shí)間(典型值):

    7.5ns,6.5ns

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)裸露焊盤(pán)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SOIC-EP

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Littelfuse/IXYS
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SOP-8-EP
2317
深耕行業(yè)12年,可提供技術(shù)支持。
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IXYS
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SOP
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IXYS Integrated Circuits Divis
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8-SOIC-EP
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科研單位合格供應(yīng)商!現(xiàn)貨庫(kù)存
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IXYS
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IXYS
2447
SOIC-8-EP
315000
2000個(gè)/圓盤(pán)一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,
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IXYS
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IXYS
2021+
SOIC-8-EP
499
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IXYS
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NA
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IXYS Integrated Circuits Divis
22+
8SOICEP
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價(jià)
更多IXDN602SITR供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-26 11:47:00