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IXER35N120D1

NPT3 IGBT with Diode

Features ?NPT3IGBT -lowsaturationvoltage -positivetemperaturecoefficientfor easyparalleling -fastswitching -shorttailcurrentforoptimized performanceinresonantcircuits ?HiPerFREDTMdiode -fastreverserecovery -lowoperatingforwardvol

IXYS

IXYS Corporation

IXER35N120D1

Package:TO-247-3;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 1200V 50A 200W TO247

IXYS

IXYS Corporation

IXER35N120D1_06

NPT3 IGBT with Diode in ISOPLUS247

IXYS

IXYS Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IXER35N120D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.8V @ 15V,35A

  • 開關(guān)能量:

    5.4mJ(開),2.6mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 測(cè)試條件:

    600V,35A,39 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    ISOPLUS247?

  • 描述:

    IGBT 1200V 50A 200W TO247

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多IXER35N120D1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-18 15:00:00