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IXDN602SI集成電路（IC）的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IXDN602SI
廠商型號(hào)

IXDN602SI
參數(shù)屬性

IXDN602SI 封裝/外殼為8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸露焊盤(pán)；包裝為管件；類(lèi)別為集成電路（IC）的柵極驅(qū)動(dòng)器；產(chǎn)品描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
功能描述

2-Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers
封裝外殼

8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸露焊盤(pán)
文件大小

1.6 Mbytes
頁(yè)面數(shù)量

13 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Clare, Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

Clare

中文名稱(chēng)

Clare, Inc.官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-24 19:00:00
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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IXDN602SI

  • 制造商：

    IXYS Integrated Circuits Division

  • 類(lèi)別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝：

    管件

  • 驅(qū)動(dòng)配置：

    低端

  • 通道類(lèi)型：

    獨(dú)立式

  • 柵極類(lèi)型：

    IGBT，N 溝道，P 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    4.5V ~ 35V

  • 邏輯電壓?- VIL，VIH：

    0.8V，3V

  • 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：

    2A，2A

  • 輸入類(lèi)型：

    非反相

  • 上升/下降時(shí)間（典型值）：

    7.5ns，6.5ns

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸露焊盤(pán)

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-SOIC-EP

  • 描述：

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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