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IXFB170N30P

Polar Power MOSFET HiPerFET

IXYS

IXYS Corporation

IXFB170N30P

Power MOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXFB170N30P_V01

Power MOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXFN170N30P

PolarPowerMOSFETHiPerFET

IXYS

IXYS Corporation

IXFN170N30P

N-ChannelMOSFET

DESCRIPTION ·DrainCurrent-ID=138A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage -VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=18Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCconverter ·BatteryChargers ·Highspeedpowerswitch

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFN170N30P

PowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXGQ170N30PB

PolarHighSpeedIGBTforPDPApplications

IXYS

IXYS Corporation

RM170N30DF

N-ChannelSuperTrenchPowerMOSFET

RECTRON

Rectron Semiconductor

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    IXFB170N30P

  • 功能描述:

    MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IXYS
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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原裝正品 華強(qiáng)現(xiàn)貨
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原裝正品 可含稅交易
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更多IXFB170N30P供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-10-30 11:00:00