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IXFH10N100中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠(chǎng)商型號(hào) |
IXFH10N100 |
| 功能描述 | HiPerFET Power MOSFETs |
| 文件大小 |
82.12 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
4 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠(chǎng)商 | IXYS Corporation |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
IXYS |
| 中文名稱(chēng) | IXYS Corporation官網(wǎng) |
| 原廠(chǎng)標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-19 10:18:00 |
| 人工找貨 | IXFH10N100價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IXFH10N100規(guī)格書(shū)詳情
HiPerFETs
The hIPerFET family of Power MOSFETs is designed to provice superior dv/dt, performance while eliminating the need for discrete, fase recovery free wheeling rectifiers In a board range of power switching applications.
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IXFH10N100
- 功能描述：
MOSFET 1KV 10A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
1931+ |
N/A |
18 |
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詢(xún)價(jià) | ||
IXYS |
20+ |
TO-247 |
36900 |
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詢(xún)價(jià) | ||
IXYS/艾賽斯 |
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IXYS |
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24+ |
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詢(xún)價(jià) | |||
IXYS |
18+ |
TO-247 |
85600 |
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詢(xún)價(jià) | ||
24+ |
8866 |
詢(xún)價(jià) | |||||
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
TO-247 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
TO-247 |
6000 |
原裝正品，支持實(shí)單 |
詢(xún)價(jià) | ||
IXYS |
22+ |
TO2473 |
9000 |
原廠(chǎng)渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢(xún)價(jià) |
