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IXFH6N100F中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IXFH6N100F
廠商型號

IXFH6N100F

功能描述

Power MOSFETs

文件大小

820.74 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-22 23:00:00

IXFH6N100F規(guī)格書詳情

Features

● RF capable MOSFETs

● Double metal process for low gate resistance

● Rugged polysilicon gate cell structure

● Unclamped Inductive Switching (UIS) rated

● Low package inductance

- easy to drive and to protect

● Fast intrinsic rectifier

Applications

● DC-DC converters

● Switched-mode and resonant-mode

power supplies, >500kHz switching

● DC choppers

● 13.5 MHz industrial applications

● Pulse generation

● Laser drivers

● RF amplifiers

Advantages

● Space savings

● High power density

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IXFH6N100F

  • 功能描述:

    MOSFET HiPerRF Power Mosfet 1000V 6A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IXYS/艾賽斯
23+
NA/
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原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
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IXYS/艾賽斯
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IXYS
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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