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IXFH6N120中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IXFH6N120
廠商型號(hào)

IXFH6N120

功能描述

High Voltage HiPerFET Power MOSFET

文件大小

88.38 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-13 22:36:00

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IXFH6N120規(guī)格書詳情

High Voltage HiPerFET Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Features

? International standard packages

? Low RDS (on) HDMOSTM process

? Rugged polysilicon gate cell structure

? Unclamped Inductive Switching (UIS) rated

? Low package inductance

- easy to drive and to protect

Advantages

? Easy to mount

? Space savings

? High power density

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IXFH6N120

  • 功能描述:

    MOSFET 6 Amps 1200V 2.4 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IXYS
13+;12+
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