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IXFN50N80Q2

HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

HiPerFET?PowerMOSFETsQ-Class N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,LowQg,LowIntrinsicRG HighdV/dt,Lowtrr Features ?InternationalStandardPackage ?miniBLOC,withAluminiumNitrideIsolation ?IsolationVoltage2500V~ ?HighCurrentHandlingCapability ?FastIntrinsicR

IXYS

IXYS Corporation

IXFN50N80Q2

N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=160mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·MotorDrive,DC-DCConverter,PowerSwitch andSolenoidDrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

50N80

IGBTwithReverseBlockingcapability

Features ●IGBTwithNPT(nonpunchthrough)structure ●reverseblockingcapabilityindependentfromgatevoltage -functionofseriesdiodemonolithicallyintegrated -noexternalseriesdioderequired -softreverserecovery ●positivetemperaturecoefficientofsaturationvolta

IXYS

IXYS Corporation

IXFH50N80XA

PowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXRH50N80

IGBTwithReverseBlockingcapability

Features ●IGBTwithNPT(nonpunchthrough)structure ●reverseblockingcapabilityindependentfromgatevoltage -functionofseriesdiodemonolithicallyintegrated -noexternalseriesdioderequired -softreverserecovery ●positivetemperaturecoefficientofsaturationvolta

IXYS

IXYS Corporation

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IXFN50N80

  • 功能描述：

    MOSFET 50 Amps 800V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
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IXYS
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IXYS/艾賽斯
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IXYS/艾賽斯
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SOT-227
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IXYS/艾賽斯
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主打模塊,大量現(xiàn)貨供應(yīng)商QQ2355605126
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IXYS
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IXFN
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SOT-227B
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IXYS
2000
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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更多IXFN50N80供應(yīng)商 更新時間2025-1-16 14:36:00

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