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IXFN82N60P中文資料無(wú)錫固電數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IXFN82N60P
廠商型號(hào)

IXFN82N60P

功能描述

N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

541.39 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

3 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ISC無(wú)錫固電

中文名稱

無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-12 18:10:00

IXFN82N60P規(guī)格書(shū)詳情

FEATURES

· Drain Current -ID= 72A@ TC=25℃

· Drain Source Voltage -VDSS=600V(Min)

· Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 75mΩ(Max)@VGS= 10V

APPLICATIONS

· DC-DC Converters

· Battery Chargers

· AC and DC Motor Drives

· High Speed Power Switching Application

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IXFN82N60P

  • 功能描述:

    MOSFET DIODE Id82 BVdass600

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IXYS/艾賽斯
模塊
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IXYS
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SOT-227B
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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IXYS(艾賽斯)
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IXYS
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SOT-227B
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