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IXFR18N90

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=10.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=660mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXFR18N90P

Polar Power MOSFET HiPerFET

IXYS

IXYS Corporation

IXFH18N90P

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXFH18N90P

PolarPowerMOSFETHiPerFET

Polar?PowerMOSFETHiPerFET? N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ?InternationalStandardPackages ?AvalancheRated ?LowPackageInductance ?FastIntrinsicDiode Advantages ?HighPowerDensity ?EasytoMount ?SpaceSavings Applications ?Sw

IXYS

IXYS Corporation

IXFT18N90P

PolarPowerMOSFETHiPerFET

Polar?PowerMOSFETHiPerFET? N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ?InternationalStandardPackages ?AvalancheRated ?LowPackageInductance ?FastIntrinsicDiode Advantages ?HighPowerDensity ?EasytoMount ?SpaceSavings Applications ?Sw

IXYS

IXYS Corporation

IXFV18N90P

PolarPowerMOSFETHiPerFET

Polar?PowerMOSFETHiPerFET? N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ?InternationalStandardPackages ?AvalancheRated ?LowPackageInductance ?FastIntrinsicDiode Advantages ?HighPowerDensity ?EasytoMount ?SpaceSavings Applications ?Sw

IXYS

IXYS Corporation

IXFV18N90PS

PolarPowerMOSFETHiPerFET

Polar?PowerMOSFETHiPerFET? N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ?InternationalStandardPackages ?AvalancheRated ?LowPackageInductance ?FastIntrinsicDiode Advantages ?HighPowerDensity ?EasytoMount ?SpaceSavings Applications ?Sw

IXYS

IXYS Corporation

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IXFR18N90

  • 功能描述：

    MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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ISOPLUS247?
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公司只售原裝,支持實單
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原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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IXYS/艾賽斯
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ISOPLUS247
6000
原裝正品，支持實單
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更多IXFR18N90供應商 更新時間2025-3-8 10:18:00

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