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IXFT66N20Q

HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

IXYS

IXYS Corporation

IXFH66N20Q

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=66A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=40mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFH66N20Q

HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class

IXYS

IXYS Corporation

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    IXFT66N20Q

  • 功能描述:

    MOSFET 66 Amps 200V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
IXYS
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19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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IXYS/艾賽斯
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IXYS/艾賽斯
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原裝正品,支持實(shí)單
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IXYS
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IXYS
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更多IXFT66N20Q供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-10-28 9:03:00