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IXFT80N10Q

HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

VDSS=100V ID25=80A RDS(on)=15m? trr≤200ns N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,HighdV/dt LowGateChargeandCapacitances Features ?IXYSadvancedlowgatechargeprocess ?Internationalstandardpackages ?Lowgatechargeandcapacitance -ea

IXYS

IXYS Corporation

IXTA80N10T

TrenchMVTMPowerMOSFET

VDSS=100V ID25=80A RDS(on)≤14mΩ N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features InternationalStandardPackages 175°COperatingTemperature AvalancheRated HighCurrentHandlingCapability FastIntrinsicDiode LowRDS(on)

IXYS

IXYS Corporation

IXTA80N10T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTP80N10T

TrenchMVTMPowerMOSFET

VDSS=100V ID25=80A RDS(on)≤14mΩ N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features InternationalStandardPackages 175°COperatingTemperature AvalancheRated HighCurrentHandlingCapability FastIntrinsicDiode LowRDS(on)

IXYS

IXYS Corporation

IXTP80N10T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

JCS80N10CF-O-C-N-B

N-CHANNELMOSFET

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

JCS80N10F

N-CHANNELMOSFET

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

JCS80N10FF-O-F-N-B

N-CHANNELMOSFET

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

JCS80N10SF-O-S-N-A

N-CHANNELMOSFET

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

JCS80N10SF-O-S-N-B

N-CHANNELMOSFET

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

JCS80N10WF-O-W-N-B

N-CHANNELMOSFET

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

SFF80N10M

55AMP(note1)/100Volts12mON-ChannelTrenchGateMOSFET

SSDI

Solid States Devices, Inc

SFF80N10Z

55AMP(note1)/100Volts12mON-ChannelTrenchGateMOSFET

SSDI

Solid States Devices, Inc

SPB80N10L

SIPMOSPower-Transistor

Feature N-Channel Enhancementmode LogicLevel 175°Coperatingtemperature Avalancherated dv/dtrated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPI80N10L

SIPMOSPower-Transistor

Feature N-Channel Enhancementmode LogicLevel 175°Coperatingtemperature Avalancherated dv/dtrated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPP80N10L

SIPMOSPower-Transistor

Feature N-Channel Enhancementmode LogicLevel 175°Coperatingtemperature Avalancherated dv/dtrated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

UTT80N10

N-Channel100-V(D-S)175?CMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

UTT80N10

80A,100VN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheUTCUTT80N10isanN-channelpowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidethecustomerswithperfectRDS(ON),highswitchingspeed,highcurrentcapacityandlowgatecharge. TheUTCUTT80N10issuitableforDC-DCconverters,Off-LineUPS,HighVoltageSynchronous

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

WSR80N10

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

WSR80N10

N-ChMOSFET

WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd

微碩半導(dǎo)體微碩半導(dǎo)體（深圳）有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IXFT80N10Q

  • 功能描述：

    MOSFET 80 Amps 100V 0.015 Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IXYS
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N/A
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IXYS
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TO-268
326
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!
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IXYS/艾賽斯
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TO-268
10000
公司只做原裝正品
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IXYS
22+
NA
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IXYS
22+
TO2683 D3Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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IXYS
21+
TO2683 D3Pak (2 Leads + Tab) T
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公司只售原裝,支持實(shí)單
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IXYS
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TO2683 D3Pak (2 Leads + Tab) T
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原裝正品，支持實(shí)單
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TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
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IXYS
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SMD
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原裝正品實(shí)單可談 庫存現(xiàn)貨
 詢價(jià)
更多IXFT80N10Q供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-10-26 10:18:00

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