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IXFV26N60P	文件：248.46 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated PolarHV?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementModeFastRecoveryDiodeAvalancheRated Features ?FastRecoverydiode ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Internationalstandardpackages ?Lowpackageinductance-easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavi	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFV26N60PS	文件：248.46 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated PolarHV?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementModeFastRecoveryDiodeAvalancheRated Features ?FastRecoverydiode ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Internationalstandardpackages ?Lowpackageinductance-easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavi	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFX26N60	文件：367.13 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=26A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.25Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFX26N60Q	文件：103.5 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class Features ●Lowgatecharge ●Internationalstandardpackages ●EpoxymeetUL94V-0,flammabilityclassification ●LowRDS(on)HDMOSTMprocess ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Avalancheenergyandcurrentrated ●FastintrinsicRectifier Advantages ●Easytomount ●Spacesavi	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH26N60P	文件：236.59 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH26N60P	文件：380.88 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTQ26N60P	文件：236.59 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTQ26N60P	文件：300.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTT26N60P	文件：236.59 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTV26N60P	文件：236.59 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IXFV26N60P
功能描述：
MOSFET 600V 26A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IXFV26N60P	IXYS	24+	PLUS-220	250		詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	IXFV26N60P	IXYS	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市華來深電子有限公司	IXFV26N60P	IXYS	23+	TO-220-3	11846	一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	IXFV26N60P	IXYS/艾賽斯	23+	PLUS220	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IXFV26N60P	IXYS	22+	TO2203 Short Tab	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價(jià)
深圳市芯福林電子科技有限公司	IXFV26N60P	IXYS	21+	TO2203 Short Tab	13880	公司只售原裝,支持實(shí)單	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	IXFV26N60P	IXYS/艾賽斯	23+	PLUSTO-220	12300	原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種	詢價(jià)
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	IXFV26N60P	IXYS	23+	TO2203 Short Tab	9000	原裝正品，支持實(shí)單	詢價(jià)
深圳市鵬順微電子科技有限公司	IXFV26N60P	IXYS	2022+	TO-220-3(SMT)標(biāo)片	38550	全新原裝支持表配單中國著名電子元器件獨(dú)立分銷	詢價(jià)
深圳市能元時(shí)代電子有限公司	IXFV26N60P	IXYS	23+	TO-220-3	67787	##公司主營品牌長期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù)	詢價(jià)

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