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IXFX250N10

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=250A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=6.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXFX250N10P

Polar HiPerFET Power MOSFET

IXYS

IXYS Corporation

HRLO250N10K

HighDenseCellDesign

SEMIHOW

SemiHow Co.,Ltd.

IXFK250N10P

PolarHiPerFETPowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXTK250N10

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXTK250N10

HighCurrentMegaMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

詳細參數

  • 型號：

    IXFX250N10

  • 功能描述：

    MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IXFX250N10供應商 更新時間2025-1-8 10:18:00

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