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IXFX60N55

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=550V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=88mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFX60N55Q2

HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

Features ?Doublemetalprocessforlowgateresistance ?Internationalstandardpackages ?EpoxymeetUL94V-0,flammabilityclassification ?Avalancheenergyandcurrentrated ?FastintrinsicRectifier Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?Highpowerdensity

IXYS

IXYS Corporation

IXFX60N55Q2

HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

Features ?Doublemetalprocessforlowgateresistance ?Internationalstandardpackages ?EpoxymeetUL94V-0,flammabilityclassification ?Avalancheenergyandcurrentrated ?FastintrinsicRectifier Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?Highpowerdensity

IXYS

IXYS Corporation

CEW60N55S

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 550V,60A,RDS(ON)=50mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-247package. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

IXFK60N55

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=550V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=88mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

STD60N55

N-channel55V-8.0m??-65A-DPAK-IPAKMDmesh??lowvoltagePowerMOSFET

Description Thisn-channelenhancementmodePowerMOSFETisthelatestrefinementofSTMicroelectronicunique“SingleFeatureSize?“strip-basedprocesswithlesscriticalaligmentstepsandthereforearemarkablemanufacturingreproducibility.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackin

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IXFX60N55

  • 功能描述：

    MOSFET 60 Amps 550V 0.09 Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IXYS
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢(xún)價(jià)
IXYS
1931+
N/A
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加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗(yàn)一站式購(gòu)物
 詢(xún)價(jià)
IXYS
1809+
TO-247
326
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!
 詢(xún)價(jià)
IXYS
22+
NA
18
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 詢(xún)價(jià)
IXYS
22+
TO2473
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢(xún)價(jià)
IXYS
21+
TO2473
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
 詢(xún)價(jià)
IXYS/艾賽斯
23+
PLUS247
6000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢(xún)價(jià)
IXYS
2022+
TO-247-3
38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo)
 詢(xún)價(jià)
IXYS/艾賽斯
22+
PLUS247
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專(zhuān)注配單
 詢(xún)價(jià)
IXYS
25+
PLUS247
12300
獨(dú)立分銷(xiāo)商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
 詢(xún)價(jià)
更多IXFX60N55供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-18 9:01:00

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