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IXGB200N60B3

GenX3 600V IGBT

OVERVIEW IXYSextendsitsGenX3?insulatedgatebipolartransistor(IGBT)productlineto600volts.ThesenewIGBTsaremanufacturedusingIXYS’state-of-the-artGenX3?IGBTprocessandutilizeIXYS’advancedPunch-Though(PT)technology,tailoredtoprovidehighersurgecurrentcapabil

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IXGB200N60B3

600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications

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IXGB200N60B3

包裝：管件 封裝/外殼：TO-264-3，TO-264AA 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 75A 1250W PLUS264

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600VGenX3IGBTsnextgeneration600VIGBTsforpowerconversionapplications

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IXGL200N60B3

GenX3600VIGBT

OVERVIEW IXYSextendsitsGenX3?insulatedgatebipolartransistor(IGBT)productlineto600volts.ThesenewIGBTsaremanufacturedusingIXYS’state-of-the-artGenX3?IGBTprocessandutilizeIXYS’advancedPunch-Though(PT)technology,tailoredtoprovidehighersurgecurrentcapabil

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IXGN200N60B3

600VGenX3IGBTsnextgeneration600VIGBTsforpowerconversionapplications

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IXXK200N60B3

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IXXX200N60B3

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IXGB200N60B3

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    GenX3?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.5V @ 15V，100A

  • 開關(guān)能量：

    1.6mJ（開），2.9mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    44ns/310ns

  • 測試條件：

    300V，100A，1 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-264-3，TO-264AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PLUS264?

  • 描述：

    IGBT 600V 75A 1250W PLUS264

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IXGB200N60B3供應(yīng)商 更新時間2025-1-8 10:18:00

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