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IXGR32N170AH1

High Voltage IGBT with Diode

HighVoltageIGBTwithDiode ElectricallyIsolatedTab Features ?ElectricallyIsolatedtab ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-on -drivesimplicity ?RuggedNPTstructure ?MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification Applications ?Capacitordischarge

IXYS

IXYS Corporation

IXGR32N170AH1

High Voltage IGBT with Diode

HighVoltageIGBTwithDiode ElectricallyIsolatedTab Features ?ElectricallyIsolatedtab ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-on -drivesimplicity ?RuggedNPTstructure ?MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification Applications ?Capacitordischarge

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IXGR32N170AH1

包裝：管件 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1700V 26A 200W ISOPLUS247

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IXGX32N170AH1

AdvanceTechnicalInformationHighVoltageIGBTwithDiode

Features ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-on -drivesimplicity ?RuggedNPTstructure ?MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification Applications ?Capacitordischarge&pulsercircuits ?ACmotorspeedcontrol ?DCservoandrobotdrives ?DCcho

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IXGR32N170AH1

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    5.2V @ 15V，21A

  • 開關(guān)能量：

    1.5mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    46ns/260ns

  • 測(cè)試條件：

    1360V，21A，2.7 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    ISOPLUS247?

  • 描述：

    IGBT 1700V 26A 200W ISOPLUS247

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
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IXYS/艾賽斯
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原裝正品，支持實(shí)單
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全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
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只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
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更多IXGR32N170AH1供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-31 10:18:00

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