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IXGR6N170A

High Voltage IGBT

IXYS

IXYS Corporation

IXGR6N170A

包裝：管件 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1700V 5.5A 50W ISOPLUS247

IXYS

IXYS Corporation

IXBH6N170

HighVoltage,HighGainBIMOSFET??MonolithicBipolarMOSTransistor

Features ●HighBlockingVoltage ●JEDECTO-268surfaceandJEDECTO-247AD ●Lowconductionlosses ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on-drivesimplicity ●MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification Applications ●ACmotorspeedcontrol ●Uninterruptible

IXYS

IXYS Corporation

IXBT6N170

HighVoltage,HighGainBIMOSFET??MonolithicBipolarMOSTransistor

Features ●HighBlockingVoltage ●JEDECTO-268surfaceandJEDECTO-247AD ●Lowconductionlosses ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on-drivesimplicity ●MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification Applications ●ACmotorspeedcontrol ●Uninterruptible

IXYS

IXYS Corporation

IXGH6N170

HighVoltageIGBT

IXYS

IXYS Corporation

IXGH6N170A

HighVoltageIGBT

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IXGT6N170

HighVoltageIGBT

IXYS

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IXGT6N170A

HighVoltageIGBTs

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IXGT6N170A

HighVoltageIGBT

IXYS

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IXGT6N170AHV

HighVoltageIGBT

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IXGR6N170A

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    7V @ 15V，3A

  • 開關(guān)能量：

    590μJ（開），180μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    46ns/220ns

  • 測試條件：

    850V，6A，33 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    ISOPLUS247?

  • 描述：

    IGBT 1700V 5.5A 50W ISOPLUS247

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
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IXYS(艾賽斯)
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IXYS(艾賽斯)全系列在售
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更多IXGR6N170A供應(yīng)商 更新時間2024-12-23 9:30:00

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