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IXSH10N60B2D1

High Speed IGBT with Diode Short Circuit SOA Capability

IXYS

IXYS Corporation

IXSH10N60B2D1

Package:TO-247-3;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 600V 20A 100W TO247

IXYS

IXYS Corporation

IXSA10N60B2D1

HighSpeedIGBTwithDiode

VCES=600V IC25=20A VCE(sat)=2.5V Features ?Internationalstandardpackages ?GuaranteedShortCircuitSOAcapability ?LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-on -drivesimplicity ?Fastfalltimeforswitchingspee

IXYS

IXYS Corporation

IXSP10N60B2D1

HighSpeedIGBTwithDiode

VCES=600V IC25=20A VCE(sat)=2.5V Features ?Internationalstandardpackages ?GuaranteedShortCircuitSOAcapability ?LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-on -drivesimplicity ?Fastfalltimeforswitchingspee

IXYS

IXYS Corporation

IXSQ10N60B2D1

HighSpeedIGBTwithDiodeShortCircuitSOACapability

IXYS

IXYS Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IXSH10N60B2D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,10A

  • 開關(guān)能量:

    430μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    30ns/180ns

  • 測試條件:

    480V,10A,30 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 600V 20A 100W TO247

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS/艾賽斯
17+
TO-247
31518
原裝正品 可含稅交易
詢價
IXYS
24+
TO-247
36
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IXYS
23+
TO-247
8600
全新原裝現(xiàn)貨
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IXYS
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TO-247
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IXYS/艾賽斯
23+
TO-247
10000
公司只做原裝正品
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IXYS
21+
TO247AD (IXSH)
13880
公司只售原裝,支持實單
詢價
IXYS/艾賽斯
23+
TO-247
12300
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
詢價
IXYS/艾賽斯
23+
TO-247
6000
原裝正品,支持實單
詢價
更多IXSH10N60B2D1供應(yīng)商 更新時間2025-2-23 14:00:00