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IXGP20N120A3

GenX3 1200V IGBTs

Ultra-LowVsatPTIGBTsforupto3kHzSwitching VCES=1200V IC110=20A VCE(sat)≤2.5V Features OptimizedforLowConductionLosses InternationalStandardPackages Advantages HighPowerDensity LowGateDriveRequirement Applications PowerInverters UP

IXYS

IXYS Corporation

IXGP20N120A3

Package:TO-220-3;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 1200V 40A 180W TO220

IXYS

IXYS Corporation

IXGA20N120A3

GenX31200VIGBTs

Ultra-LowVsatPTIGBTsforupto3kHzSwitching VCES=1200V IC110=20A VCE(sat)≤2.5V Features OptimizedforLowConductionLosses InternationalStandardPackages Advantages HighPowerDensity LowGateDriveRequirement Applications PowerInverters UP

IXYS

IXYS Corporation

IXGH20N120A3

GenX31200VIGBTs

Ultra-LowVsatPTIGBTsforupto3kHzSwitching VCES=1200V IC110=20A VCE(sat)≤2.5V Features OptimizedforLowConductionLosses InternationalStandardPackages Advantages HighPowerDensity LowGateDriveRequirement Applications PowerInverters UP

IXYS

IXYS Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IXGP20N120A3

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    GenX3?

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,20A

  • 開關(guān)能量:

    2.85mJ(開),6.47mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    16ns/290ns

  • 測試條件:

    960V,20A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220-3

  • 描述:

    IGBT 1200V 40A 180W TO220

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
24+
TO-220-3
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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IXYS
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IXYS
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TO-220
1675
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IXYS/艾賽斯
23+
TO-220
10000
公司只做原裝正品
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TO-220
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IXYS
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IXYS/艾賽斯
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TO-220
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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IXYS
22+
TO220AB
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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IXYS
21+
TO220AB
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
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IXYS
TO-220
68900
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!
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更多IXGP20N120A3供應(yīng)商 更新時間2025-1-22 16:26:00