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IXGP30N60C3	文件：281.01 Kbytes Page：6 Pages	GenX3 600V IGBT HighSpeedPTIGBTsfor40-100kHzswitching Features Optimizedforlowswitchinglosses SquareRBSOA Internationalstandardpackages	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGP30N60C3	文件：839.36 Kbytes Page：4 Pages	600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGP30N60C3	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-220-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 60A 220W TO220AB	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGP30N60C3C1	文件：294.36 Kbytes Page：7 Pages	GenX3TM 600V IGBT w/ SiC Anti-Parallel Diode HighSpeedPTIGBTsfor40-100kHzSwitching Features ●OptimizedforLowSwitchingLosses ●SquareRBSOA ●Anti-ParallelSchottkyDiode ●InternationalStandardPackages Advantages ●HighPowerDensity ●LowGateDriveRequirement Applications ●HighFrequencyPowerInverters ●UPS ●	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGP30N60C3D4	文件：294.25 Kbytes Page：7 Pages	GenX3 600V IGBT With Diode HighSpeedPTIGBTsfor 40-100kHzswitching Features ●Optimizedforlowswitchinglosses ●SquareRBSOA ●Anti-parallelultrafastdiode ●Internationalstandardpackages Advantages ●Highpowerdensity ●Lowgatedriverequirement Applications ●HighFrequencyPowerInverters ●UPS	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGP30N60C3C1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-220-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 60A 220W TO220	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGP30N60C3D4	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-220-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 60A 220W TO220AB	IXYS IXYS Corporation	IXYS
G30N60C3D	文件：299.66 Kbytes Page：9 Pages	63A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiodes Features ?63A,600VatTC=25oC ?TypicalFallTime...............230nsatTJ=150oC ?ShortCircuitRating ?LowConductionLoss ?HyperfastAnti-ParallelDiode Packaging JEDECSTYLETO-247	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
HGTG30N60C3	文件：99.55 Kbytes Page：6 Pages	63A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG30N60C3isaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderately	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HGTG30N60C3D	文件：131.12 Kbytes Page：8 Pages	63A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode Description TheHGTG30N60C3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvarieso	HARRIS Harris Corporation	HARRIS
HGTG30N60C3D	文件：144.62 Kbytes Page：8 Pages	63A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiodes TheHGTG30N60C3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
HGTG30N60C3D	文件：116.91 Kbytes Page：7 Pages	63A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiodes TheHGTG30N60C3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HGTG30N60C3D	文件：299.66 Kbytes Page：9 Pages	63A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiodes Features ?63A,600VatTC=25oC ?TypicalFallTime...............230nsatTJ=150oC ?ShortCircuitRating ?LowConductionLoss ?HyperfastAnti-ParallelDiode Packaging JEDECSTYLETO-247	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IXGA30N60C3	文件：839.36 Kbytes Page：4 Pages	600VGenX3IGBTsnextgeneration600VIGBTsforpowerconversionapplications	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXXH30N60C3	文件：212.03 Kbytes Page：6 Pages	XPTTM600VIGBT	IXYS IXYS Corporation	IXYS

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
IXGP30N60C3
制造商：
IXYS
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
系列：
GenX3?
包裝：
管件
IGBT 類型：
PT
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
3V @ 15V，20A
開關(guān)能量：
270μJ（開），90μJ（關(guān)）
輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
16ns/42ns
測試條件：
300V，20A，5 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝：
TO-220-3
描述：
IGBT 600V 60A 220W TO220AB

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市艾宇欣科技有限公司	IXGP30N60C3	IXYS	1931+	N/A	18	加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗(yàn)一站式購物	詢價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	IXGP30N60C3	IXYS	1809+	TO-220	1675	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!	詢價(jià)
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	IXGP30N60C3	IXYS/艾賽斯	23+	TO-220	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市易訊博科技有限公司	IXGP30N60C3	IXYS	22+	NA	18	加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,	詢價(jià)
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	IXGP30N60C3	IXYS/艾賽斯	21+	TO220	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IXGP30N60C3	IXYS	22+	TO220AB	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價(jià)
深圳市芯福林電子科技有限公司	IXGP30N60C3	IXYS	21+	TO220AB	13880	公司只售原裝,支持實(shí)單	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	IXGP30N60C3	IXYS/艾賽斯	23+	TO-TO-220	12300	原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種	詢價(jià)
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	IXGP30N60C3	IXYS/艾賽斯	23+	TO-220	6000	原裝正品，支持實(shí)單	詢價(jià)
深圳市鵬順微電子科技有限公司	IXGP30N60C3	IXYS	2022+	TO-220AB	38550	全新原裝支持表配單中國著名電子元器件獨(dú)立分銷	詢價(jià)

更多IXGP30N60C3供應(yīng)商更新時間2024-12-23 10:18:00

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