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HGTG30N60C3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

HGTG30N60C3
廠商型號

HGTG30N60C3
參數(shù)屬性

HGTG30N60C3 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 63A TO247-3
功能描述

63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
封裝外殼

TO-247-3
文件大小

99.55 Kbytes
頁面數(shù)量

6 頁
生產(chǎn)廠商 Intersil Corporation
企業(yè)簡稱

Intersil

中文名稱

Intersil Corporation官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-24 10:32:00

HGTG30N60C3規(guī)格書詳情

The HGTG30N60C3 is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C.

Features

? 63A, 600V at TC = 25°C

? 600V Switching SOA Capability

? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 230ns at TJ = 150°C

? Short Circuit Rating

? Low Conduction Loss

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    HGTG30N60C3D

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.8V @ 15V，30A

  • 開關(guān)能量：

    1.05mJ（開），2.5mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 600V 63A TO247-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
INTERSIL
05+
原廠原裝
4402
只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢價
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1930+
N/A
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FAIRCHILD
20+
TO-3P
36900
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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21+
SMD
30000
百域芯優(yōu)勢 實單必成 可開13點增值稅
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Fairchild
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89
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FairchildSemiconductor
18+
NA
3000
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)
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FAIRCHILD/仙童
23+
TO-3P
10000
公司只做原裝正品
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24+
N/A
47000
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
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INTERSIL
22+
TO-247
6000
十年配單,只做原裝
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ON/安森美
22+
SMD
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原裝認(rèn)準(zhǔn)芯澤盛世！
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