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IXGA30N60C3C1中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IXGA30N60C3C1
廠商型號(hào)

IXGA30N60C3C1

功能描述

GenX3TM 600V IGBT w/ SiC Anti-Parallel Diode

文件大小

294.36 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-25 15:01:00

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IXGA30N60C3C1規(guī)格書詳情

High Speed PT IGBTs for 40 - 100kHz Switching

Features

● Optimized for Low Switching Losses

● Square RBSOA

● Anti-Parallel Schottky Diode

● International Standard Packages

Advantages

● High Power Density

● Low Gate Drive Requirement

Applications

● High Frequency Power Inverters

● UPS

● Motor Drives

● SMPS

● PFC Circuits

● Battery Chargers

● Welding Machines

● Lamp Ballasts

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IXGA30N60C3C1

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 G-SERIES GENX3SIC IGBT 600V 30A

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IXYS
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IXYS/艾賽斯
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IXYS(艾賽斯)
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IXYS
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TO263 (IXGA)
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IXYS
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IXYS/艾賽斯
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