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IXGA50N60C4中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IXGA50N60C4
廠商型號

IXGA50N60C4
功能描述

High-Gain IGBTs
文件大小

224.21 Kbytes
頁面數(shù)量

6 頁
生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-30 15:30:00
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IXGA50N60C4規(guī)格書詳情

High-Speed PT Trench IGBT

Features

Optimized for Low Switching Losses

International Standard Packages

Square RBSOA

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    IXGA50N60C4

  • 功能描述：

    IGBT 模塊 High Gain IGBTs

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    445 W

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝/箱體：

    34MM

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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