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IXGH12N100分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXGH12N100
廠商型號

IXGH12N100
參數(shù)屬性

IXGH12N100 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1000V 24A 100W TO247AD
功能描述

Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode
IGBT 1000V 24A 100W TO247AD
封裝外殼

TO-247-3
文件大小

151.39 Kbytes
頁面數(shù)量

5 頁
生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-20 22:59:00
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IXGH12N100規(guī)格書詳情

IXGH12N100屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXGH12N100晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

Features

? International standard package JEDEC TO-247 AD

? 2nd generation HDMOSTM process

? Low VCE(sat)

- for low on-state conduction losses

? High current handling capability

? MOS Gate turn-on

- drive simplicity

? Voltage rating guaranteed at high temperature (125C)

Applications

? AC motor speed control

? DC servo and robot drives

? DC choppers

? Uninterruptible power supplies (UPS)

? Switch-mode and resonant-mode power supplies

Advantages

? Easy to mount with 1 screw (isolated mounting screw hole)

? High power density

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    IXGH12N100

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    3.5V @ 15V，12A

  • 開關能量：

    2.5mJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    100ns/850ns

  • 測試條件：

    800V，12A，120 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247AD

  • 描述：

    IGBT 1000V 24A 100W TO247AD

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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