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IXGH10N100U1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXGH10N100U1
廠商型號(hào)

IXGH10N100U1

參數(shù)屬性

IXGH10N100U1 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1000V 20A 100W TO247AD

功能描述

Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode
IGBT 1000V 20A 100W TO247AD

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

121.57 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-29 23:03:00

IXGH10N100U1規(guī)格書詳情

IXGH10N100U1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXGH10N100U1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

Features

● International standard package

JEDEC TO-247 AD

● IGBT and anti-parallel FRED in one

package

● 2nd generation HDMOSTM process

● Low VCE(sat)

- for low on-state conduction losses

● MOS Gate turn-on

- drive simplicity

● Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)

- soft recovery with low IRM

Applications

● AC motor speed control

● DC servo and robot drives

● DC choppers

● Uninterruptible power supplies (UPS)

● Switch-mode and resonant-mode

power supplies

Advantages

● Space savings (two devices in one

package)

● Easy to mount with 1 screw

(isolated mounting screw hole)

● Reduces assembly time and cost

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IXGH10N100U1

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    3.5V @ 15V,10A

  • 開關(guān)能量:

    2mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    100ns/550ns

  • 測(cè)試條件:

    800V,10A,150 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 1000V 20A 100W TO247AD

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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