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IXGF25N300分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXGF25N300
廠商型號(hào)

IXGF25N300
參數(shù)屬性

IXGF25N300 封裝/外殼為i4-Pac?-5（3 引線）；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 3000V 27A 114W I4-PAK
功能描述

High Voltage IGBT For Capacitor Discharge Applications
IGBT 3000V 27A 114W I4-PAK
封裝外殼

i4-Pac?-5（3 引線）
文件大小

119.29 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-2-10 18:00:00

IXGF25N300規(guī)格書詳情

IXGF25N300屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXGF25N300晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IXGF25N300

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    5.5V @ 15V，75A

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    i4-Pac?-5（3 引線）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    ISOPLUS i4-PAC?

  • 描述：

    IGBT 3000V 27A 114W I4-PAK

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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