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IXGC16N60C2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXGC16N60C2
廠商型號

IXGC16N60C2

參數(shù)屬性

IXGC16N60C2 封裝/外殼為ISOPLUS220?;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 20A 63W ISOPLUS220

功能描述

Electrically Isolated Back Surface
IGBT 600V 20A 63W ISOPLUS220

封裝外殼

ISOPLUS220?

文件大小

541.19 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-23 11:40:00

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IXGC16N60C2規(guī)格書詳情

IXGC16N60C2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXGC16N60C2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IXGC16N60C2

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    HiPerFAST?

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • IGBT 類型:

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    3V @ 15V,12A

  • 開關(guān)能量:

    60μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    25ns/60ns

  • 測試條件:

    400V,12A,22 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    ISOPLUS220?

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    ISOPLUS220?

  • 描述:

    IGBT 600V 20A 63W ISOPLUS220

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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