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IXGH15N120CD1分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXGH15N120CD1
廠商型號

IXGH15N120CD1

參數屬性

IXGH15N120CD1 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 1200V 30A 150W TO247

功能描述

Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode
IGBT 1200V 30A 150W TO247

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

56.1 Kbytes

頁面數量

2

生產廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網

原廠標識
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更新時間

2025-2-23 10:05:00

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IXGH15N120CD1規(guī)格書詳情

IXGH15N120CD1屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產的IXGH15N120CD1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

Features

? International standard packages : JEDEC TO-247AD & TO-268

? IGBT and anti-parallel FRED in one package

? MOS Gate turn-on - drive simplicity

? Fast Recovery Expitaxial Diode (FRED) - soft recovery with low I RM

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    IXGH15N120CD1

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    3.8V @ 15V,15A

  • 開關能量:

    1.05mJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    25ns/150ns

  • 測試條件:

    960V,15A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 1200V 30A 150W TO247

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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