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IXGH20N120BD1

High Voltage IGBT with Diode

IXYS

IXYS Corporation

IXGH20N120BD1

Package:TO-247-3;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 1200V 40A 190W TO247

IXYS

IXYS Corporation

IXGP20N120BD1

HighVoltageIGBTwithDiode

IXYS

IXYS Corporation

IXGQ20N120BD1

HighVoltageIGBTwithDiode

Features ●Internationalstandardpackage ●IGBTandanti-parallelFREDfor resonantpowersupplies -Inductionheating -Ricecookers ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●FastRecoveryExpitaxialDiode(FRED) -softrecoverywithlowIRM Advantages ●Savesspace(two

IXYS

IXYS Corporation

IXGT20N120BD1

HighVoltageIGBTwithDiode

IXYS

IXYS Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IXGH20N120BD1

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    3.4V @ 15V,20A

  • 開關(guān)能量:

    2.1mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    25ns/150ns

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 1200V 40A 190W TO247

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多IXGH20N120BD1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-23 15:35:00