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IXGH25N100U1

High speed IGBT with Diode

Features ●InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD ●IGBTandanti-parallelFREDinonepackage ●2ndgenerationHDMOSTMprocess ●LowVCE(sat) -forminimumon-stateconductionlosses ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED) -softreco

IXYS

IXYS Corporation

IXGH25N100U1

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1000V 50A 200W TO247AD

IXYS

IXYS Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IXGH25N100U1

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    3.5V @ 15V，25A

  • 開關(guān)能量：

    5mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    100ns/500ns

  • 測(cè)試條件：

    800V，25A，33 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247AD

  • 描述：

    IGBT 1000V 50A 200W TO247AD

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IXYS
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更多IXGH25N100U1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-22 9:00:00

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