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IXGH25N120	文件：45.88 Kbytes Page：2 Pages	Low VCE(sat) High speed IGBT LowVCE(sat)HighspeedIGBT Features ?InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD ?2ndgenerationHDMOSTMprocess ?LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ?MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ?ACmotorspeedcontrol ?DCservoandrobotdrives ?DC	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH25N120	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 1200V 50A 200W TO247AD	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH25N120A	文件：45.88 Kbytes Page：2 Pages	Low VCE(sat) High speed IGBT LowVCE(sat)HighspeedIGBT Features ?InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD ?2ndgenerationHDMOSTMprocess ?LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ?MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ?ACmotorspeedcontrol ?DCservoandrobotdrives ?DC	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH25N120A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 1200V 50A 200W TO247AD	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXSH25N120A	文件：32.61 Kbytes Page：2 Pages	IGBT IGBTImprovedSCSOACapability Features ?SecondgenerationHDMOSTMprocessLowVCE(sat) -forminimumon-stateconductionlosses ?MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ?ACmotorspeedcontrol ?DCservoandrobotdrives ?Uninterruptiblepowersupplies(UPS) ?Switc	IXYS IXYS Corporation	IXYS
K25N120	文件：329.74 Kbytes Page：13 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
KGF25N120KDA	文件：1.57082 Mbytes Page：8 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KGH25N120NDA	文件：64.44 Kbytes Page：6 Pages	SEMICONDUCTORTECHNICALDATA GeneralDescription KECNPTIGBTsofferlowestlossesandhighestenergyefficiencyforapplicationsuchasIH(inductionheating),UPS,Generalinverterandothersoftswitchingapplications. FEATURES ·Highspeedswitching ·Highersystemefficiency ·Softcurrentturn-offwavef	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KGT25N120KDA	文件：573.35 Kbytes Page：8 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KGT25N120KDA	文件：567.69 Kbytes Page：8 Pages	SEMICONDUCTORTECHNICALDATA	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KGT25N120NDA	文件：123.9 Kbytes Page：8 Pages	SEMICONDUCTORTECHNICALDATA	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KGT25N120NDH	文件：1.48621 Mbytes Page：7 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
MGY25N120	文件：228.6 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltageblockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsrequiringaguaranteedshortcircuitwithstandtime.Fastswitchingcharacteri	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MGY25N120	文件：153.58 Kbytes Page：5 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltageblockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsrequiringaguaranteedshortcircuitwithstandtime.Fastswitchingcharacteri	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MGY25N120D	文件：171.59 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isco–packagedwithasoftrecoveryultra–fastrectifierandusesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltageblock	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MGY25N120D	文件：256.3 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isco–packagedwithasoftrecoveryultra–fastrectifierandusesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltageblock	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MIW25N120FA	文件：1.02325 Mbytes Page：7 Pages	TrenchandFieldStopIGBT1200V25A Features ?LowVCE(sat)Trench-FSIGBTtechnology ?Positivetemperaturecoefficient ?Includingfast&softrecoveryanti-parallelFWD ?Highshortcircuitcapability(10us) ?HalogenFree.“Green”Device(Note1) ?EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
MIW25N120FA-BP	文件：1.02325 Mbytes Page：7 Pages	TrenchandFieldStopIGBT1200V25A Features ?LowVCE(sat)Trench-FSIGBTtechnology ?Positivetemperaturecoefficient ?Includingfast&softrecoveryanti-parallelFWD ?Highshortcircuitcapability(10us) ?HalogenFree.“Green”Device(Note1) ?EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
NGTB25N120FLWG	文件：188.23 Kbytes Page：10 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NGTB25N120IHLWG	文件：175.61 Kbytes Page：9 Pages	Incorporatedintothedeviceisaruggedco??ackagedfreewheelingdiodewithalowforwardvoltage.	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
IXGH25N120
制造商：
IXYS
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
管件
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
3V @ 15V，25A
開關(guān)能量：
11mJ（關(guān)）
輸入類型：
標(biāo)準
25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
100ns/650ns
測試條件：
960V，25A，33 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝：
TO-247AD
描述：
IGBT 1200V 50A 200W TO247AD

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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瀚佳科技(深圳)有限公司	IXGH25N120	IXYS	2020+	TO-247	16800	絕對原裝進口現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!?	詢價
深圳市興燦科技有限公司	IXGH25N120	IXYS	24+	TO-247	1344		詢價
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深圳市科雨電子有限公司	IXGH25N120	IXYS	1809+	TO-247	326	就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!	詢價
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	IXGH25N120	IXYS/艾賽斯	23+	TO-247	5425	公司只做原裝正品	詢價
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	IXGH25N120	IXYS/艾賽斯	23+	TO-247	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
深圳市易訊博科技有限公司	IXGH25N120	IXYS	22+	NA	18	加我QQ或微信咨詢更多詳細信息,	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IXGH25N120	IXYS	22+	TO247AD (IXGH)	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價

更多IXGH25N120供應(yīng)商更新時間2024-10-25 17:35:00

產(chǎn)品屬性

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